RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
45
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2356
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link