RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3291
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link