RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
45
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3291
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link