RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Comparar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2150
1778
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparações de RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link