RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
1778
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link