RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
66
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1820
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link