RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2660
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link