RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3167
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link