RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link