RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
63
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
63
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2543
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link