RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3911
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link