RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
33
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link