RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link