RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3122
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link