RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
45
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
3122
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link