RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3341
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link