RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
81
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
81
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1651
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link