RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2231
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link