RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
85
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
85
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1772
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link