RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
53
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2285
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre 0000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre 0000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link