RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
53
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2285
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link