RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
74
Wokół strony 66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
74
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1616
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link