Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 74
    Wokół strony 66% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    25 left arrow 74
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2764 left arrow 1616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania