RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3007
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link