Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Pontuação geral
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Pontuação geral
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    25 left arrow 74
    Por volta de 66% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    25 left arrow 74
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2764 left arrow 1616
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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