RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
62
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1586
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link