RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
62
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
6.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
62
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
1586
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link