RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4095
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link