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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.8
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
19.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
18.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
4095
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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