RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
5.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
48
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
48
42
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
5.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1072
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link