RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
58
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
58
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2591
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link