RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
48
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3410
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link