RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
48
Wokół strony -140% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
20
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3088
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link