RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
48
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
22
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3060
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link