RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3483
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link