RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2291
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Elpida EBE11UE6ACUA-6E-E 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link