RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
89
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
89
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1518
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link