RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
48
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
37
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2734
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link