RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
52
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
52
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2853
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link