RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2780
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link