RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
48
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
33
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2930
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link