RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2589
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link