RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
48
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3684
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link