RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3375
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link