RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
48
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
26
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2978
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link