RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3396
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link