RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
27
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3391
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link