RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
55
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
55
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2274
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link