RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
48
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
17
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3550
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link