RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
48
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
18
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3609
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965426-169.A00LF 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link