RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3291
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link