RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
48
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
29
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2724
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link